GaNトランジスター

GaNトランジスター

GaN Systemsのパワースイッチは高電力密度で高効率、次世代の電源要求にこたえ、小型化、軽量化でトータル部品コストを低減いたします。 またGaNはSilicon MOSFETやIGBTよりもはるかに低いスイッチング損失、小型磁気回路、高速スイッチングを可能にいたします。

耐圧は650V及び100Vエンハンスメントモード(E-HEMT)、電流は7Aから250A+の製品を保有しており、現状650V/100V両製品を量産供給できる唯一のメーカーです。Island Technology®にて大電流、歩留まりを大幅に改善するセルのレイアウト技術を、GaNPX™ & GaNPXHP™にて超低インダクタンス、超低熱抵抗を可能にする実装技術を実現しています。