SiC-CVD装置 (シリコンカーバイト用成膜装置)

SiC-CVD装置 (シリコンカーバイト用成膜装置)

AIXTRON社のSiC-CVD装置 (シリコンカーバイト用成膜装置)、「Warm Wall SiC CVD」は極めて高品質な結晶特性を持つSiC層の成長を均一にかつ高い再現性をもって実現する量産型リアクターです。高品質のSiC-ホモエピタキシャル構造は高温動作、高耐電圧、低電力消失などの優れた特性を持ち、パワーデバイス、カーエレクトロニクス、高周波デバイスなどに威力を発揮します。

AIXTRON社のSiC-CVD装置の特長

Planetary Reactor®
本装置ではプラネタリー(自公転)方式を採用しており、材料ガスは中心部より供給され、外周部より排気されます。また、メインディスクと、基板をセットするサテライトディスクはそれぞれ独立して回転しており、加えて非接触な回転機構であることから信頼性が高く、同時に優れた膜厚均一性を実現しています。
(右図)
Gas Foil Rotation
Gas Foil Rotation®
機械式の回転機構(メイン回転)と独自技術であるガスフォイルローテーションを組み合わせることにより、優れた均一性を達成 しています。
(右図)
Warm Wall
高温チャンバーとウェハのプラネタリー(自公転)方式というユニークな組み合わせにより高い均一性の成膜を実現し、再現性を飛躍的に高めます。
スループット
スループット
AIX2800 G4 SiCではウェハの直径が大きくなるほどエッジ除外の歩留まりが向上します。そのためコストを最小限に抑えながらウェハ辺りの歩留まりを最大限に高めることができます。このシステムは 10 x 100"、 6 x 150"の直径のウェハに対応しています。
トリプルインジェクター
トリプルインジェクター
特別に設計された3層のガスインジェクターとWarm Wallによる高断熱性シーリング方式は欠陥密度を抑え高品質なSiC成長のもとで優れたSiCエピ表面状態の実現を可能にします。
これによりウェハ歩留まりとスループットの向上にもつながります。

ラインナップ

  • VAIXG5 WW(Warm-Wall) SiC VPE System : 10 x 100mm / 6 x 150mm

お知らせ

アイクストロン・グループ会社であるThomas Swan Scientific Equipment Ltd.は、
2008年1月1日をもちましてAIXTRON Ltd.と社名を変更しました。
また、Epigress社製品は、AIXTRON社製品のラインナップとなりました。