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アイクストロングループ CVD装置
AIXTRON社のMOCVD装置、SiC-CVD装置など、研究開発から量産まで幅広いニーズに最適なシステムを提案するアイクストロングループ。
丸文株式会社は、CVD装置で世界をリードするアイクストロングループの最先端CVD装置に加え、in-situモニタリングシステムまでラインナップし、CVDに関するさまざまなニーズに豊富な経験と実績に基づく確かなノウハウでお応えしています。
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高輝度LED、通信用半導体レーザ、高速電子デバイスなど化合物半導体製造用の薄膜成長装置です。（MOVPE装置とも呼ばれます。）『プラネタリーリアクター』など独自の優れたテクノロジーにより、高いガス消費効率と薄膜均一性を実現しています。
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| 自公転式MOCVD装置 ラインナップ |
- AIX200：1 x 2"、3 x 2"、1 x 3"、1 x 4"
- AIX2400：15 x 2"、8 x 3"、5 x 4"
- AIX2600：35 x 2"、12 x 3"、8 x 4"、5 x 6"
- AIX2800：49 x 2"、11 x 4"、6 x 6"
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| 製品詳細情報 |
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Planetary Reactor®
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独自技術『クローズ カップルド シャワーヘッド』などにより、GaN（窒化ガリウム）系、InGaAsP系を材料に薄膜を成長させる化合物半導体用に特化し、非常に高い材料使用効率を実現しています。
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| CCS-MOCVD装置 ラインナップ |
- 3 x 2"、1 x 3"、1 x 4"
- 6 x 2"、3 x 3"、1 x 4"、1 x 6"
- 19 x 2"、7 x 3"、4 x 4"、1 x 6"
- 30 x 2"、12 x 3"、7 x 4"、3 x 6"、1 x 12"
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| 製品詳細情報 |
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Close Coupled Showerhead®
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インライン・ガス濃度分析計 Epison 4
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MOCVD装置用のコンポーネントとして、インライン・ガス濃度分析計も取り扱っております。同システムをMOCVD装置に組み込むことで、成膜品質、歩留まりが大幅に向上します。 |
製品詳細情報 |
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AIXTRON社 SiC-CVD装置（シリコンカーバイト用成膜装置）
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SiC-CVD装置はIGBTなどパワーデバイスの新材料として期待されるシリコンカーバイトウェハの成膜装置です。AIXTRON社の持つ特許＜ガスフォイルローテーション方式とプラネタリー方式＞の採用で、シリコンカーバイトウェハの量産を実現しています。
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| Hot Wall SiC CVD装置 ラインナップ |
- VP2400HW ： 7 x 2"、7 x 3"、6 x 4"
- VP508GFR ： 1 x 3"、1 x 4"、3 x 2"
- VP508R&D ： 1 x 2"
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| 製品詳細情報 |
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LayTec社 その場（in-situ）モニタリングシステム
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基盤表面温度、成長速度、膜組成、基盤の反りなどをリアルタイムかつ高性能に測定。
研究開発、生産性向上に役立つ情報を提供します。
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| 成膜装置用 in-situ モニタリングシステム |
- ウェハ表面の実温度（±1K）をリアルタイム測定
- 成長速度測定（0.001nm/sec ±1%）
- 膜組成分析
- デバイス構造解析
- 界面、表面の粗さ測定
- ドービングレベル測定
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| 製品詳細情報 |
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膜組成分析例（AlGaN）
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