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その他の薄膜装置

その場(in-situ)モニタリングシステム

レイテック
その場(in-situ)モニタリングシステム Laytec社の成膜装置用in-situモニタリング装置は、GaNなど各種材料の成膜プロセスにおいて、成膜条件で最も重要なウェハ表面の実際温度をリアルタイムで測定します。その精度は±1Kを達成しており、研究開発や生産性向上に有効な情報を提供します。
(上位機種では更に様々な測定・解析が可能です。)
また、各種MOCVD装置やMBE装置に組み込み可能で、マルチタイプのサセプターにも対応しており、ウェハ毎に選択的に測定を行います。
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LayTec社 その場モニタリングシステム 主な特徴
  • ウェハ表面の実温度(±1K)をリアルタイム測定
  • 成長速度測定(- 0.001nm/sec ±1%)
  • 膜組成分析("EpiR"と"EpiRAS"にて)
  • 基盤の反りから見る構造解析("EpiCurve"のみ)
  • デバイス構造解析
  • 界面、表面の粗さ測定
  • ドーピングレベル測定("EpiRAS"のみ)

膜組成分析例(AlGaN)


基盤の反りから見る構造解析例(InGaAs)


LayTec社 その場モニタリングシステム ラインナップ
モデル ウェハ
表面温度
成長速度 膜組成の
分析
デバイス
構造分析
ドーピング 基盤反り 材料系
EpiTT
        GaAs, InP,
GaN
EpiCurve TT
      GaAs, InP,
GaN
EpiR TT
    GaAs, InP,
GaN
EpiRAS TT
 
 
GaAs, InP
EpiTwin TT
        GaAs, InP,
GaN

オプション
  • エンドポイントディテクション(EDP)
    • MO装置側で設定されたプロセス条件(膜厚等)とLayTec装置との連動システム
  • Active温度フィードバック
    • LayTec装置で測定したウエハ実温度のMO装置側へのフィードバック機能





MOCVD装置とのシステム提案について
丸文株式会社では、Laytec社製品の単独販売だけでなく、MOCVD装置の世界のリーディングカンパニーであるAIXTRON社、及びそのグループ会社であるThomas Swan Scientific Equipment社の国内における総代理店として、お客様のご要求に応じてトータルシステムとしてもご提案させて頂きます。



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