セイコーエプソン|DMOS-ASIC製品『S1X8H000/S1K8H000シリーズ』

セイコーエプソン|DMOS-ASIC製品『S1X8H000/S1K8H000シリーズ』

セイコーエプソン『S1X8H000/S1K8H000シリーズ』は、0.15㎛のCMOSとDMOSの混載プロセスで高耐圧・大電流に対応しつつ、低消費電力を実現するための制御回路を搭載可能なASIC(エンベデットアレイ/スタンダードセル)です。
当ページでは、DMOS-ASIC製品『S1X8H000/S1K8H000シリーズ』の主な特長をブロック図も用いてご紹介いたします。

DMOS-ASIC製品『S1X8H000/S1K8H000シリーズ』概要

エプソン社独自の回路化技術により、従来難しかったアナログ系制御素子の集積を可能にし、基板の面積を占有する電力用半導体素子や専用IC、高耐圧・電流部をあらかじめIPコアとして準備、お客様によって設計された論理回路までを混載しDMOS-ASICとして1チップ化しました。

DMOS-ASIC製品『S1X8H000/S1K8H000シリーズ』メリット

部品の複数調達の軽減や部品点数の削減、消費電流を最適制御することで省電力化を実現、お客様製品の小型化および低消費電力化、開発費の削減に貢献します。

DMOS-ASIC製品『S1X8H000/S1K8H000シリーズ』用途

IO-Linkなどの通信送受信回路、高電圧スイッチ、スイッチング電源、制御機能を内蔵したモータードライバ、モーター駆動用Hブリッジなど、幅広い分野に最適です。

DMOS-ASIC製品『S1X8H000/S1K8H000シリーズ』特長

  • DMOSトランジスタにより、高い耐圧を維持しながら、従来の高耐圧MOSプロセスに対し50%以上
    オン抵抗を低減、電力損失低減、高効率化を実現
  • 0.15μm CMOS論理回路、DMOSプロセス、不揮発性メモリなどが1チップに混載可能
  • 豊富な機能をIPコアとして提供可能
  • IPコアの一例:過電流検知機能付きDMOSトランジスタ、Hブリッジ回路、LDO、EEPROM、SRAM、安全機能—低電圧検知、過電圧検知、加熱検知など。
    ※IPコアは順次開発していく予定です。

DMOS-ASICとは

DMOSの構造

DMOS-ASIC製品『S1X8H000/S1K8H000シリーズ』主な仕様

型番
S1X8H000 / S1K8H000
電源電圧
I/O 2.7〜5.5V
DMOS耐圧
PMOS 40V
NMOS 60V
DMOS電流
2A(参考値)
I/O駆動能力
2、4、8、12mA/3.3V
ロジック回路
配線層5層による高集積化
パッケージ
QFP48~256ピン、QFN、PBGA、PFBGA
温度範囲
Ta=-40〜105℃(Tjmax=150℃)

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