セイコーエプソン|ASICの紹介

セイコーエプソン|ASICの紹介

セイコーエプソンのASICは、1982年以来お客様の開発パートナーとしてゲートアレイ/エンベデットアレイ/スタンダードセル製品で、お客様の様々な課題解決や競争力向上に貢献するASICソリューションをお客様へ提供しています。
2021年には、高耐圧/大電流対応製品をASIC開発手法でご提供できるDMOS-ASICをラインナップにお客様の課題解決に貢献していきます。

ASICラインナップ

ゲートアレイ/エンベデットアレイ/スタンダードセルのラインナップに高耐圧・大電流に対応したDMOS+ASICの新シリーズをラインナップに加え様々なASICソリューションでお客様の低消費電力、小型・薄型、短納期にマッチする製品を提供いたします。

ゲートアレイ

エプソンのゲートアレイは電源、信号配置を自由に設定できるため、既存品の置換えにも最適です。2012年にはお客様のご要求にお応えし、0.35µmプロセスで5V単一電源を対応するS1L5V000シリーズを新規に開発、集積度と消費電力の改善にも貢献します。

シリーズ名
S1L60000シリーズ
特長
超高集積(0.25µm CMOS3 層/ 4 層配線プロセス採用)
高速動作(内部ゲート遅延 2.5V 時 107ps 2 入力 NAND Typ.)
駆動能力(IOL=0.1, 1, 3, 6, 12mA/3.3V 時, IOL=0.1, 1, 3, 6, 9,18mA/2.5V 時,IOL=0.05, 0.3, 1, 2, 3, 6mA/2.0V 時, IOL=0.045, 0.27, 0.9, 1.8, 2.7, 5.4mA/1.8V 時)
RAM(同期型、非同期型), PLL, 各種マクロセル搭載可能
遅延時間
tpd=107ps(2.5V時, F/O=1,標準配線負荷) tpd=270ps(2.5V時, F/O=2, 標準配線負荷) tpd=1600ps(2.5V時, CL=15pF)
I/Oレベル
CMOS、LVTTL、PCI-3.3V
入力モード
CMOS、LVTTL、プルアップ/プルダウン、シュミット、レベルシフタ、Fail-safe、Gated
出力モード
ノーマル、オープンドレイン、3ステート、双方向、レベルシフタ、Fail-safe、Gated
シリーズ名
S1L50000シリーズ
特長
高集積(0.35µm CMOS2 層/ 3 層/ 4 層配線プロセス採用)
高速動作(内部ゲート遅延 3.3V 時 0.14ns 2 入力 Power-NAND Typ.)
低消費電力(内部セル3.3V 時0.7µW/MHz/BC)
駆動能力(IOL=0.1, 1, 3, 8, 12, 24mA, PCI/5.0V 時, IOL=0.1, 1, 2, 6, 12mA, PCI/3.3V 時,IOL=0.1, 0.5, 1, 3, 6mA/2.5V 時, IO L=0.05, 0.3, 0.6, 2, 4mA/2.0V 時)
RAM(非同期型), PLL, 各種マクロセル搭載可能
遅延時間
tpd=0.14ns(3.3V 時,F/O=2, 標準配線負荷)、0.21ns(2.0V 時,F/O=2, 標準配線負荷)
tpd=0.38ns (5.0V 時,F/O=2, 標準配線負荷)レベルシフタ、0.4ns (3.3V 時,F/O=2,標準配線負荷)、1.3ns(2.0V 時,F/O=2,標準配線負荷)
tpd=2.12ns (5.0V 時)レベルシフタ、2.02ns (3.3V 時) 、3.9ns(2.0V 時)、CL=15pF
I/Oレベル
CMOS、LVTTL、PCI-5V、PCI-3.3V
入力モード
LVTTL、CMOS、プルアップ/プルダウン、シュミット、Fail-safe、Gated
出力モード
ノーマル、オープンドレイン、3 ステート、双方向、Fail-safe、Gated
シリーズ名
S1L5V000シリーズ
特長
高集積(0.35µm CMOS2 層/ 3 層/ 4 層配線プロセス採用)
高速動作(内部ゲート遅延:5.0V時 0.19ns、3.3V時 0.29ns、2入力Power-NAND Typ.)
低消費電力(内部セル:5.0V時 1.3uW/MHz/BC、3.3V時 0.54uW/MHz/BC)
駆動能力(IOL=0.1, 1, 3, 8, 12mA/5.0V時、IOL=0.1, 1, 2, 6, 10mA/3.3V時)
遅延時間
tpd=0.19ns(5.0V時、F/O=2、標準配線負荷)、 tpd=0.29ns(3.3V時、F/O=2、標準配線負荷)
tpd=0.45ns(5.0V時、F/O=2、標準配線負荷)、tpd=0.55ns(3.3V時、F/O=2、標準配線負荷)
tpd=2.07ns(5.0V時)、 tpd=2.95ns(3.3V時)、CL=15pF
I/Oレベル
CMOS、TTL 、LVTTL
入力モード
TTL、LVTTL、CMOS、プルアップ/プルダウン、シュミット、Fail-safe、Gated
出力モード
ノーマル、オープンドレイン、3ステート、双方向、Fail-safe、Gated

エンベデッドアレイ

エンベデッドアレイは、スタンダードセル、ASSP等の特定用途向ハードマクロを搭載し、かつお客さまの回路をSea of Gateで実現、混載可能なセミカスタムICです。 高集積・高機能セルのハードマクロ化により、システムオンチップが可能であり、ロジック部の Sea of Gate 化により配線工程以後は、ゲートアレイと同等の開発期間を実現します。 また、LSIの下地(ベースバルク)の再利用が可能で、ロジック部のみの変更であれば、ゲートアレイと同等の開発期間で改変が行えます。

シリーズ名
S1X80000シリーズ
特長
高集積(0.15μm CMOS 4/5層配線プロセス採用、74Kゲート/mm2
高速動作(内部ゲート遅延:33ps/1.8V、2入力NAND Typ.)
電源電圧選択可能 単一電源動作(1.8V、LDO内蔵による3.3V)
2電源動作(I/O:3.3V/内部:1.8V)
低消費電力(内部セル:0.063μW/MHz/gate、2入力NAND標準/1.8V)
駆動能力(IOL=2,4,8,12mA/3.3V)
マクロセル
RAM、PLL、LVDS、RSDS、各種マクロセル搭載可能
パッケージ
QFP48~256ピン、PBGA、PFBGA、QFN
シリーズ名
S1X60000シリーズ
特長
高集積(0.25μm CMOS 3/4/5層配線プロセス採用、搭載ゲート数:最大250万ゲート)
高速動作(内部ゲート遅延:107ps/2.5V、2入力Power NAND Typ.)
電源電圧選択可能 単一電源動作(2.0V、2.5V)
2電源動作(I/O:3.3V/内部:2.5V、I/O:3.3V/内部:2.0V)
低消費電力(内部セル:0.18μW/MHz/gate、2入力NAND標準/2.5V)
駆動能力(IOL=0.1,1,3,6,12,24mA/3.3V時、IOL=0.1,1,3,6,12,24mA/2.5V時、IOL=0.05,0.3,1,2,4,8mA/2.0V時)
マクロセル
RAM、ROM、Flash、MCU、PLL、LVDS、RSDS、各種マクロセル搭載可能
パッケージ
QFP48~256ピン、PBGA、PFBGA、QFN
シリーズ名
S1X50000シリーズ
特長
高集積(0.35μm CMOS 3/4層配線プロセス採用)
高速動作(内部ゲート遅延:150ps/3.3V、2入力Power NAND Typ.)
電源電圧選択可能 単一電源動作(2.0V、2.5V、3.3V)
2電源動作(I/O:5.0V/内部:3.3V、I/O:3.3V/内部:2.5V、I/O:3.3V/内部:2.0V)
低消費電力(内部セル:0.37μW/MHz/gate、2入力NAND標準/3.3V)
駆動能力(IOL=0.1,1,3,8,12,24mA/5.0V時、IOL=0.1,1,2,6,12mA/3.3V時、IOL=0.1,0.5,1,3,6mA/2.5V時、IOL=0.05,0.3,0.6,2,4mA/2.0V時)
マクロセル
RAM、ROM、Flash、MCU、PLL、アナログセル、LVDS、RSDS、各種マクロセル搭載可能
パッケージ
QFP48~256ピン、PBGA、PFBGA、QFN、WCSP
シリーズ名
S1X5V000シリーズ
特長
高集積(0.35μm CMOS 2/3/4層配線プロセス採用)
高速動作(内部ゲート遅延:0.19ns/5.0V、0.29ns/3.3V、2入力Power NAND Typ.)
低消費電力(内部セル:1.3μW/MHz/gate/5.0V、0.54μW/MHz/gate/3.3V、2入力NAND Typ.)
駆動能力(IOL=0.1,1,3,8,12mA/5.0V時、0.1,1.2,6,10mA/3.3V時)
マクロセル
RAM、ROM、Flash、MCU、PLL、アナログセル、LVDS、RSDS、各種マクロセル搭載可能
パッケージ
QFP48~256ピン、PBGA、PFBGA、QFN、WCSP

スタンダードセル

スタンダードセルは、最適設計された内部ロジックセルとROM・RAMなどのメモリ、CPU周辺やアナログ回路の1チップ化を可能にするセミカスタムICです。ゲートアレイに比べて設計の自由度が高く、高機能・高集積であり、お客さまの求める最適化されたシステムLSIを実現します。
これによって製品の小型化、低消費電力化に大きく貢献しております。

シリーズ名
S1K80000シリーズ
特長
高集積(0.15µm CMOS 4/5層配線プロセス採用、154Kゲート/mm2
高速動作(内部ゲート遅延:39ps/1.8V, 2入力NAND Typ.)
電源電圧選択可能 単一電源動作(1.8V, LDO内蔵による3.3V)
2電源動作 (I/O : 3.3V/内部 : 1.8V)
低消費電力(内部セル : 0.039μW/MHz/gate, 2入力NAND標準/1.8V)
駆動能力(IOL=2,4,8,12mA/3.3V)
マクロセル
RAM、PLL、LVDS、RSDS、各種マクロセル搭載可能
パッケージ
QFP48~256ピン, PBGA, PFBGA, QFN

DMOS-ASIC

DMOS+ASICは、基板の面積を占有している電力用半導体素子、専用IC、高耐圧・電流部を1チップ化することで、部品点数削減・省電力化・故障率低下を可能にするセミカスタムICです。用意されたIPを組み合わせることにより、フルカスタムICに比べ開発期間の短縮、開発費の削減が可能になります。

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