日本エフイー・アイ|リアルタイムロックイン発熱解析装置 ELITE -アプリケーションと有効性-

日本エフイー・アイ|リアルタイムロックイン発熱解析装置 ELITE -アプリケーションと有効性-

『ELITE解析®』とは、半導体・電子部品・実装基板などにおけるリーク・ショートの故障部位を非破壊でピンポイントに特定することが可能な技術です。
故障解析の初期段階で、故障部位と正確に特定することで、その後の解析業務を大幅に効率化します。
こちらのページではELITEの幅広いアプリケーション及び解析業務の効率化に関してご紹介いたします。

幅広いアプリケーション

電気的解析を伴う電子部品・電子モジュール・電子基板は全てELITE解析の対象となります。
これらの内部におけるショート・疑似オープンに起因して発生する特異な発熱パターンにより欠陥部位を特定することが可能です。

アプリケーション別 解析事例

ELITE活用事例 ~X線CTとのコンビネーション~

ELITEで検出した発熱部位を3次元X線CTで観察する事により、短時間で欠陥事象を可視化する事が可能になります。
またELITEの位相データを元に対象ワークの深さ位置を指定する事で、欠陥が発生した内層のCT撮影位置指定が容易になり、正確な断層撮影が可能になります。

半導体パッケージ品の内部ショート

多層基板のVIA間ショート

ELITE活用事例 ~レーザ開封とのコンビネーション~

レーザ開封装置 FA-LITで半導体の樹脂モールドを薄片化する事で発熱箇所をよりピンポイントに絞り込む事が可能になります。

パッケージ内欠陥

従来解析手法との比較

ELITEで欠陥部位を特定した後、3次元X線CTで欠陥事象を確認する事で『非破壊解析工程』におけるTATタイムを大幅に短縮する事が可能になります。
欠陥発生原因を『非破壊解析工程』で仮定する強力なツールであると同時に、物理解析工程への正確な橋渡しをするソリューションをご提案させていただきます。