ナノ/マイクロフォーカス3次元X線CTシステムのアプリケーションと撮影事例

ナノ/マイクロフォーカス3次元X線CTシステムのアプリケーションと撮影事例

こちらのページでは、ユー・エイチ・システム社のナノ/マイクロフォーカス3次元X線CTシステムのアプリケーションと撮影事例をご紹介します。
高拡大・高速CT撮影が可能なユー・エイチ・システム社の特徴を活用し、電子部品・電子基板の内部で発生した微小欠陥を高分解能で可視化することが可能です。欠陥が発生した部位の断層画像を短時間で抽出し、詳細解析を行うことで非破壊解析工程において不具合発生のメカニズムを仮定する有効なツールになります。

実装基板 -BGA接合部 濡れ不良-

リフロー時に発生するはんだボールの濡れ不良を撮影した事例です。熱歪による基板の反り・不適切なリフロー温度などが原因で濡れ不良が発生したものと思われます。水平断層画像により濡れ不良はんだの接合面積が小さくなっているのが確認できます。

実装基板 -DIP部品 接合不良-

スルーホール内リード部のはんだ上がり不良を撮影した事例です。フラックス不足・劣化やスルーホール上面の熱不足などが原因で発生したものと思われます。縦断層画像によりスルーホール内ではんだ上がり不良が発生している様子が確認できます。

実装基板 -コネクタ 嵌合不良-

コネクタピン間の嵌合不良を撮影した事例です。水平断層画像の撮影により嵌合不良が起こったコネクタピンの変形が確認できます。

プリント基板 -スルーホール不良-

プリント基板内スルーホールのクラックおよび変形を撮影した事例です。斜めCTで撮影し、立体構築した画像によりスルーホール内に発生したクラックの状態やスルーホールが変形した様子が確認できます。

プリント基板 -VIA間ショート不良-

多層基板内のスルーホール間に発生したショート不良を撮影した事例です。透視観察でもショート不良が観察できますが、斜めCTによる断層画像の撮影を用いることによりショート不良を起こした層のみを抽出することが可能です。3層目でショート不良の発生が確認できます。

半導体パッケージ -リード間ショート不良-

半導体パッケージ内のリード間に発生したショート不良を撮影した事例です。パッケージ内部のリード間に混入した異物が透視観察でも視認できますが、斜めCT撮影および立体構築機能を用いることで、より鮮明に異物を確認することが可能です。

半導体パッケージ -ピン間ショート不良-

半導体パッケージのボンディングパッド間に発生したショート不良を撮影した事例です。低倍率・低分解能のX線では異物の視認は出来ませんが、高拡大・高分解能のX線では透過観察でも異物の確認ができます。また、斜めCTの断層画像撮影により混入異物の深さ方向を特定することが可能となります。

パワー半導体 -はんだボイド不良-

パワー半導体のチップ~絶縁基板間、絶縁基板~ヒートシンク間のはんだ接合層を撮影した事例です。2次元観察では発生したボイドの層毎での切り分けが困難ですが、斜めCT撮影では各層の断層画像を抽出することが可能です。チップ下・絶縁基板下で発生したボイド径が異なるのが確認できます。