インフィニオンテクノロジーズ| MOSFET製品のご紹介

インフィニオンテクノロジーズ(以下インフィニオン)のMOSFETには40年の歴史があり1999年に世界で初めてSuper Junction型のMOSFET「 CoolMOS™」シリーズを量産しました。2006年に低オン抵抗のトレンチ型「OptiMOS™」シリーズもリリース。更に2015年にInternational Rectifier社を買収し低圧汎用の用途向けにプレーナ型の「StrongIRFET™」シリーズもラインアップに加えました。パッケージについても特徴的な製品を多数用意しております。インフィニオンはMOSFETと一緒にゲートドライバ製品もご提供できる、パワー半導体のリーディングカンパニーです。
商品基礎情報
インフィニオンのMOSFET製品
豊富なMOSFETのラインアップをシリーズ名ごと、および小信号/小電力に分けてご紹介いたします。
MOSFET 各シリーズの特長
CoolMOS™ シリーズ MOSFET
CoolMOS™ ではドレインソース間電圧VDS 500V~950Vの製品を用意しています。特に、最新の第7世代600VCoolMOS™ P7 はゲート抵抗を内蔵し使いやすくなっており、コスト/性能バランスがとれた製品です。P7シリーズの他に低RdsONに特化したC7シリーズや高速リカバリダイオードを内蔵したCFD7シリーズも用意しています。詳細はインフィニオンWebサイトよりご覧ください。
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600V CoolMOS™ P7ラインアップ
OptiMOS™ シリーズ MOSFET
OptiMOS™ は低/中耐圧 20~300V 低オン抵抗のトレンチ型MOSFETであり、業界最高レベルのFOMを達成しており、高速スイッチングが要求されるアプリケーションに最適です。現在、第5世代~第6世代製品が最新の製品となっています。詳細はインフィニオンWebサイトよりご覧ください。
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OptiMOS™ ラインアップ
StrongIRFET™ ・ StrongIRFET™2
StrongIRFET™ はコスト/性能比に優れており低/中耐圧20~300Vの製品で主に電動工具など、100kHz以下の低速スイッチングアプリケーションに最適です。詳細はインフィニオンWebサイトよりご覧ください。
>>詳細はこちら(メーカサイト)
新製品のStrongIRFET2™ は、 従来のStrongIRFET™ に比べRDS(on)およびQgを低減する事でシステムの更なる効率向上を可能にしています。詳細はインフィニオンWebサイトよりご覧ください。
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StrongIRFET™2と従来品との比較(100V TO-220)
StrongIRFET™2 ポートフォリオ
小信号 / 小パワーMOSFET
マイコンからロジックレベルで簡単に制御できる低VGS(th)の MOSFETをご用意しています。小パワー、許容損失2W以下となります。スペースに制約のあるバッテリ保護やLED制御などのアプリケーションに最適です。詳細はインフィニオンWebサイトよりご覧ください。
<ポートフォリオ>
- 20-250 V Pch (P , P+P)
- 20-600 V Nch (N , N+N)
- +20/-20 V 及び+30/-30 Vのコンプリメンタリ
- 60-600 V N-channelデプレションモード
小信号/小パワーMOSFET標準パッケージ
知見と経験を活かし、
ご要望・課題にお応えします。
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