最新プロセスの第4世代SiCの紹介

SiC MOSFETの技術革新が進む中でWolfspeed inc.(以下Wolfspeed社)が提供するSiC MOSFETも世代が進み、いよいよ次世代のプロセスである第4世代(以下Gen4)に対応したSiC MOSFETのリリースが開始しました。今回はGen4の製品の特徴について紹介します。

Gen4MOSFETは今までの第3世代の製品と比べて高速なスイッチングを可能としつつ、さらなる効率化が可能となっています。また効率面だけでなくEMIノイズの低減や短絡耐性、VDSのオーバーシュートが出にくいような構造となっており、従来の第3世代(以下Gen3)に比べて非常に使い勝手の良い製品となっています。ここでは赤枠で囲ったGen4の特徴について説明します。

下記はGen3とGen4のターンオン/オフ時の波形とスイッチング損失を比較した物です。
Gen4とGen3ではターンオフ時の波形はほとんど変わりませんが、ターンオン時の波形が大きく異なります。Gen4の製品はターンオン中のリカバリー電流が高速かつソフト化されており、さらにリンギングも減少しているのが分かります。これによりスイッチング損失の低減かつEMIノイズの低減が可能です。

Gen4ではボディダイオードの性能も向上しており、QRRとのトレードオフなしでソフトネス係数がGen3よりも3.5倍向上しています。
それにより逆回復時のEMIを最小限に抑えることができVDSのオーバーシュートも抑えることが可能です。

Gen4プロセスに対応した製品はWolfspeed社が提供しているベアダイ・ディスクリート・モジュールすべての製品でリリース予定となっています。より使い勝手が向上したGen4をご検討してみてはいかがでしょうか。