Modulight｜次世代計測＆分析システムのためのレーザーソリューション

従来の光源の課題を解決する、複数波長・統合パッケージソリューション

アプリケーション：近赤外分光分析計 / 非破壊検査装置

従来の課題

従来の近赤外分光分析計では、測定可能な波長が限られており、特定の対象物や成分を正確に分離・検出することが困難でした。また、測定に時間がかかる場合があり、効率性が課題となっていました。

Modulight ソリューション

Modulightは、1850nmを含むカスタム波長の光源を提供します。これにより、これまで検出が難しかった特定の成分や特性を高感度で測定することが可能になります。

• 導入による付加価値
  • 非破壊検査の精度向上と適用範囲の拡大を実現します。
  • 従来の装置では不可能だった、新たな成分分析や特性評価が可能になります。
  • 1台で様々な物質に対応可能で汎用性の高い分析・検査ソリューションを提供します。

アプリケーション：ラマン分光装置

従来の課題

生体サンプルや特殊な有機材料の測定時、標準の785nmレーザーを使用すると、強い「自家蛍光」が発生します。微弱なラマン散乱光がバックグラウンドノイズに埋もれ、正確なスペクトル取得が困難になります。

Modulight ソリューション

830nmまたは1030nmの挟線幅(Narrow Linewidth)光の発生領域を戦略的に選定し、優れた波長安定性と高出力を両立します。

• 導入による付加価値
  • 蛍光干渉の完全回避：ノイズに埋もれていたラマンシフトをクリアに検出し、分析対象（ターゲットマテリアル）の適用範囲を大幅に拡大。
  • ハイエンド市場の開拓：従来の785nmレーザーでは対応不可能だった難易度の高いサンプル測定を実現します。

アプリケーション：環境・ガス計測器

従来の課題

TDLAS（半導体レーザー吸光分光法)でメタンやアンモニア等をppm/ppbレベルで測定するには、対象ガスの吸収線と光源波長が極めて高い精度で一致する必要がありますが、既存のレーザー光源では波長調整範囲・制度に限界があり、ターゲット波長への完全な適合が得られません。

Modulight ソリューション

1654nmや1512nmなどの特定ガス向けカスタムDFB(分布帰還型）レーザーをターゲットガスの吸収線に高精度に合わせた単一周波数レーザーを設計・製造しています。

• 導入による付加価値
  • 高度な検出感度：ノイズのない高純度な波長により、極微量ガスの高精度モニタリングが可能に。
  • 柔軟な開発支援：自社製造施設による一貫生産の強みを活かし、試作段階からの柔軟なカスタム対応体制を構築、新ガス対応センサーのTime-to-Marketを短縮。

アプリケーション：多波長蛍光分光計

従来の課題

最先端のバイオマーカーやアップコンバージョン蛍光体研究では、複数の特殊色素を同時励起する必要があります。
装置開発において複数光源を個別に調達する場合、光軸アライメントの手間と共に、コスト・開発期間・設置面積においても大きな負担となります。

Modulight ソリューション

• 導入による付加価値
  • 小型化とコスト低減：光学調整(アライメント)の手間と装置の設置面積を大幅に削減します
  • 優れた波長拡張性：お客様のご要望に応じ、UV（紫外線）から2000nmまでの波長帯を最適に組み合わせてご提供可能です。

アプリケーション：レーザー変位計

従来の課題

工場のインライン検査において、透明な樹脂フィルムの厚みや特殊コーティングガラスを測定する際、標準の赤色(650nm）や青紫（405nm)では、反射率・透過率の兼ね合いで正確に測れない「死角」となる素材が存在します。

Modulight ソリューション

Modulightの光源は波長を自由にカスタマイズでき、複数の波長を搭載することもできます。

• 導入による付加価値
  • 高い測定信頼性の確立：次世代の特殊フィルムや半導体パッケージ素材に対しても、干渉や減衰のない高精度な測定
    を実現。難測定サンプルにも幅広く対応します。
  • 歩留まり向上への貢献：測定エラー率の改善により、製造現場での歩留まり向上に寄与し、製品の品質を高めます。

アプリケーション：半導体ウェハ欠陥検査装置

従来の課題

SiC（炭化ケイ素）やGaNなど、次世代パワー半導体ウェハの内部（サブサーフェス）欠陥を非破壊検査するには近赤外光が不可欠です。しかし、従来の1064nm波長では透過と散乱のバランスが最適ではなく、プロセスの微細化に伴う欠陥検出において十分な検出感度が得られない点が課題となっています。

Modulight ソリューション

1100nm～1300nm帯の特定波長（例：1220nm、1280nm)。半導体材料の種類や基板特性に合わせた最適波長のカスタム設計により、ウエハ内部まで確実に届く高出力・高品位なレーザー照射を実現します。

• 導入による付加価値
  • コントラストの最大化：これまで見逃されていた内部の微小欠陥をクリアに可視化します。
  • 装置付加価値の向上：高精度な検査性能が製品差別化に繋がり、先端半導体検査市場でのシェア獲得と技術的優位性の確立をサポートします。

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