セイコーエプソン｜DMOS-ASIC製品『S1X8H000/S1K8H000シリーズ』

エプソン社独自の回路化技術により、従来難しかったアナログ系制御素子の集積を可能にし、基板の面積を占有する電力用半導体素子や専用IC、高耐圧・電流部をあらかじめIPコアとして準備、お客様によって設計された論理回路までを混載しDMOS-ASICとして1チップ化しました。

部品の複数調達の軽減や部品点数の削減、消費電流を最適制御することで省電力化を実現、お客様製品の小型化および低消費電力化、開発費の削減に貢献します。

IO-Linkなどの通信送受信回路、高電圧スイッチ、スイッチング電源、制御機能を内蔵したモータードライバ、モーター駆動用Hブリッジなど、幅広い分野に最適です。

• DMOSトランジスタにより、高い耐圧を維持しながら、従来の高耐圧MOSプロセスに対し50%以上
  オン抵抗を低減、電力損失低減、高効率化を実現
• 0.15μm CMOS論理回路、DMOSプロセス、不揮発性メモリなどが1チップに混載可能
• 豊富な機能をIPコアとして提供可能
• IPコアの一例^※：過電流検知機能付きDMOSトランジスタ、Hブリッジ回路、LDO、EEPROM、SRAM、安全機能—低電圧検知、過電圧検知、加熱検知など。
  ※IPコアは順次開発していく予定です。

DMOSの構造