真空リフローによる接合品質の向上とはんだ接合事例

パワー半導体のSi素子とリードフレームをN2の真空リフローにてはんだ接合した事例です。通常のリフローではパワー素子～リードフレーム間に大きなボイドが発生しますが、真空引きすることによりはんだボイドが除去できているのが確認できます。

半導体はんだバンプをギ酸還元の真空リフローにて接合した事例です。ギ酸の熱風対流によりプリヒート段階ではんだの酸化還元を促進させることに加え、メインヒート段階で真空引きを付加することでバンプ内のボイドを除去しています。

パワー半導体の絶縁基板とヒートシンクをギ酸還元の真空リフローにて接合した事例です。熱風対流方式を採用しているため、放熱ピン付きのヒートシンクに対しても均一な温度分布と十分な昇温能力があります。シートはんだの酸化還元と真空引きにより接合部のボイドを除去した状態を観察しております。

車載用プリント基板に実装されたQFNパッケージ品のはんだ接合部を撮影した事例です。チップ裏面にある4つのサーマルパッド（金属板）のはんだ接合部がN2の真空リフローによりボイドレスで実装されているのが確認できます。

プリント基板に実装されたハイパワー抵抗器をN2の真空リフローによりはんだ接合した事例です。通常のリフローと比較して、真空引き機能によりはんだ接合部のボイドが大幅な低減が可能となります。