新世代技術で業界最小クラスのオン抵抗（RDS(ON)）を持つSiC MOSFET

Wolfspeed社の第5世代（Gen 5）のSiC MOSFETについて説明します。

• 連続動作可能な接合部温度（Junction Temperature）が200℃に向上し、さらに寿命制限付きで最大215℃を実現したことでより過酷な環境での耐久性が確保されます。
• 前世代（Gen 4）で導入された優れた「ボディダイオード」を引き継ぎつつ、逆回復電荷（Qrr）をさらに改善し、スイッチング時の損失を低減させています。

• この第5世代は、ニューヨーク州モホークバレーにある同社の最先端200mm（8インチ）自動化ウエハファブで製造・認定される2番目の世代となります。
• プレーナー型MOSFET技術をさらに進化させたものであるため、顧客企業（自動車メーカーや産業機器メーカー）は、これまでと同じ製造設備やプロセスを利用できます。これにより、AI需要などで開発期間が逼迫するなかでも、認証や市場投入までの期間を劇的に短縮できます。

想定される主な用途

• 電気自動車（EV）： より小型で高効率なトラクションインバーター、航続距離の延長、EVバッテリーの最適化（コスト削減）、急速充電インフラの効率化。また、機械的なリレーを半導体回路遮断器（ソリッドステート・サーキットブレーカー）へ置き換えるといった、新たなSiCの活用も可能にします。
• 産業機器： 産業用電源などにおける高効率化・小型化。

現在の状況

現在は一部の限定顧客向けにサンプル（QEM50120-025D10 / QEM50075-025D10）を提供中で、2026年から2027年初頭にかけて市場の需要に合わせて新たな製品ラインアップを順次展開していく予定です。

丸文株式会社はWolfspeedの正規代理店です。