ロックイン赤外線発熱解析装置 ELITE

ロックイン赤外線発熱解析装置 ELITE

丸文株式会社は故障解析の不具合部位特定に『ELITE解析®』をご提案します。
『ELITE解析®』とは、半導体・電子部品・基板などの故障部位を非破壊でピンポイントに特定することが可能な技術です。
故障解析の初期段階で、故障部位と正確に特定することで、その後の解析業務を大幅に効率化します。

ELITE
ENHANCED LOCK-IN THERMAL EMISSION

ELITEに関するお問合せは

電話番号:03-3639-9823

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一般的なサーモグラフィーとロックイン発熱解析(ELITE解析®)の違い

ELITEの基本構成

3次元積層ダイのXYZ不具合部位特定への応用

ELITEでは3次元積層ダイの不具合部位を、PKGの状態でX、Y及びZ深さまで特定することが可能です。 接続端子が外部にある場合には、電気試験によって不具合部位を推測することが可能ですが、TSV(Through Silicon Vias)など内部端子による接続では、電気試験だけでは、不具合部位の特定は不可能です。ELITEでは発熱強度情報と遅延位相情報によって、3次元積層ダイの非破壊での不具合部位特定を可能とします。

リアルタイムロックイン機能による微小発熱検出能力

ELITE解析では空間分解能を上げるために、ロックイン周波数を可変することができます。ロックイン周波数を上げれば上げるほど、発熱反応を小さく絞り込むことができます。一方で、ロックイン周波数を上げれば上げるほど、赤外線放射量は低下するため、発熱現象を検出しにくくなります。 ELITEはリアルタイムロックイン方式を採用することで、長時間測定を実現し、微小発熱現象を捉えることができる、唯一のシステムです。

ELITEとX線CTのコンビネーションによる解析事例

ELITEとX線CTのコンビネーションによる解析事例

従来解析手法との比較

カメラ仕様

  • 640 x 512(画素サイズ:15μm / フレームレート100Hz〜2.6KHz / NETD<20mK)
※NETD:Noise Equivalent Temperature Difference(ノイズ等価温度差)
 NETDは低いほうが、ノイズの影響を受けにくく、高感度な測定が可能です。

レンズ仕様表

ユーティリティーと寸法

主な導入事例

  • 次世代パワーデバイス(SiC、GaN)のプロセス開発におけるリーク解析
  • 3次元積層デバイスの不具合部位・高さ特定
  • IC、基板などの絶縁劣化部位の特定