表面欠陥検査

ガラス、化合物、シリコン等ウェハ加工時における、表面状態把握、異常解析が可能です。広大なエリアにおいてサブミクロン以下の欠陥を可視化させるマクロ検査ユニットから、非破壊でナノ領域の表面解析が可能なミクロ検査ユニットまで、提案が可能です。

顕微鏡検査で判定困難なウェハ表面／裏面のマイクロクラック等を広い視野にて瞬時に検出し、NG品の流出を防止します。
また、ロット検査データを統計処理しウェハ割れの早期原因究明にも効果的です。
高精細3CCDカメラとシュリーレン光学系により、クラック・傷・異物の識別判定が可能です。

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各種ウェハの表裏面およびエッジ・ノッチ部分の各種欠陥を独自の光学技術を駆使して、顕微鏡でも発見しづらい、微小な欠陥や、なだらかな凹凸などを検出します。
また、鏡面に限らず、エッチング面やBG痕などの様な粗さのある面の中のキズ、クラック、汚れなどの欠陥の検出が可能です。
昭和電気研究所では既存の撮像技術だけでなく、お客様のウェハや見つけたい欠陥に合わせて最適な光学系の模索を日々行っております。

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非接触でウェハ、樹脂、支持基板及びSiC、GaN、サファイア等の化合物材料の厚みや形状や反りを高速で高精度に測定します。測定はポイント計測、任意座標指定計測、X-Yラインスキャン計測はもとより、高いサンプリングレートを活かしたマッピング機能で2次元・3次元データを表示する事でウェハ全体の状態把握を簡易的に把握することが可能です。

用途に合わせて、マニュアル機から完全自動機まで提案いたします。

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