超高解像度X線CTシステム Phoenix Nanotom HR

300nm X線焦点スポット技術による最高水準のCTスキャン解像度 [NEW!!]

① 160kV高出力ナノフォーカスX線管：最新の焦点技術を搭載した高分解能ナノフォーカスX線管により、最大17Wまでの全電圧範囲でかつ、長時間撮影時でも安定した出力が可能なため、最高のイメージング分解能を実現。
② 最新のＸ線ディテクタ：可変FDD距離と⾼効率DXR S100 Pro検出器の組み合わせにより、幅広いアプリケーションに対し、高品質なCT画像の取得を実現。
③ 高解像度：半導体パッケージの設計上の偏差、デバイスの製造上の不具合、材料内部欠陥、サブミクロン粒子などを従来機比で最大5倍の高解像度で観察が可能。

真円スポットの自動電子ビームフォーカスによる優れたフォーカススポット品質

• 150nmの分解能を全kV範囲で一貫して自動的に達成
• スポット位置を変えずに、スポットサイズとパワーの設定値を変更可能

半導体及びマイクロエレクトロニクス

①マイクロバンプ内の微細ボイド検出: 数μm以下の小さなボイドであっても、その形状や分布を詳細に把握できるようになります。
②TSV内部のフィリング不良やライナー層のわずかな剥がれ: これまで見過ごされていた微細な構造的な不完全性を特定できます。
③クラックの初期段階での検出: デバイスの信頼性問題に発展する前の、ごく初期の亀裂であっても検出可能になります。
④3Dでの詳細解析: 取得した高分解能のCTデータから、欠陥の正確な位置、サイズ、そして3次元的な形状を特定し、その発生メカニズムの解明に繋げることができます。

リチウムイオンセル電極

①活物質粒子の内部構造の可視化: 個々の活物質粒子内部に生じた数μm以下のクラックや、活物質とバインダーの間の微細な界面を詳細に観察できるようになります。これにより、劣化メカニズムの解明や材料改善に貢献します。
②セパレータの微細欠陥の検出: 数μm以下のピンホールや、セパレータの繊維構造のわずかな不均一性を3次元的に可視化し、内部短絡のリスク評価を高精度に行えます。
③電極層内のボイド・凝集の明確な識別: 電極層内に分散する微細な気泡や、活物質粒子の局所的な凝集を、そのサイズや分布を含めて詳細に捉えることができ、電極の充填密度や均一性評価に役立ちます。
④電極と集電体界面の評価: わずかな剥離や接触不良の兆候を、これまでになく高精度で検出できます。