日本エフイー・アイ｜リアルタイムロックイン発熱解析装置 ELITE -アプリケーションと有効性-
ELITE解析は、高感度赤外線カメラとロックイン技術を組み合わせることで、半導体・電子部品・実装基板の不具合箇所を非破壊で特定することが可能です。
一般的なサーモグラフィとの違いとして、ELITE解析は不具合箇所をピンポイントで可視化できる点が挙げられます。これにより、故障解析の初期段階で正確に故障部位を特定し、その後の解析業務を大幅に効率化することができます。
こちらのページではELITEのアプリケーションと有効性をご紹介致します。
商品基礎情報
幅広いアプリケーション
電気的解析を伴う電子部品・電子モジュール・電子基板は全てELITE解析の対象となります。
これらの内部におけるショート・疑似オープンに起因して発生する特異な発熱パターンにより欠陥部位を特定することが可能です。
アプリケーション別 解析事例
ELITE活用事例 ～X線CTとのコンビネーション～
- 迅速な可視化: ELITEで検出した発熱部位を3次元X線CTで観察することで、短時間で欠陥事象を可視化できます。これにより、故障解析のスピードが大幅に向上します。
- 正確な断層撮影: ELITEの位相データを基に対象ワークの深さ位置を指定することで、欠陥が発生した内層のCT撮影位置を正確に指定できます。これにより、より精度の高い3D断層画像が得られます。
- 効率的な解析: 発熱部位の特定とその後のCT撮影を組み合わせることで、解析プロセスが効率化され、全体の作業時間が短縮されます。
半導体パッケージ品の内部ショート
多層基板のVIA間ショート
ELITE活用事例 ～レーザ開封とのコンビネーション～
- 精度の向上: レーザー開封装置 FALIT でデバイスを薄片化することにより、発熱箇所をより正確に特定できるため、故障解析の精度が向上します。
- 効率的な解析: 発熱箇所をピンポイントに絞り込むことで、解析プロセスが効率化され、時間とコストの削減に繋がります。
パッケージ内欠陥
ELITE活用事例 ～ダイ回路上の欠陥検出～
樹脂モールド越しに非破壊で欠陥位置を特定し、その後開封して超高分解能のLSM（レーザースキャニングマイクロレンズ）を用いることで、ダイ回路上の欠陥をさらに絞り込むことができます。
- 高精度な欠陥特定: 開封後にLSMを使用することで、ダイ回路上の微細な欠陥を高精度で特定できます。
- 詳細な解析: LSMによる高分解能の画像取得により、欠陥の詳細な解析が可能となり、故障原因の特定が容易になります。”
ダイ回路上のESD欠陥
従来解析手法との比較
ELITE解析®と3次元X線CTの組み合わせは、非破壊解析工程におけるTAT（ターンアラウンドタイム）を大幅に短縮する強力なソリューションになります。
- 迅速な欠陥特定: ELITE解析®で欠陥部位を特定し、その後3次元X線CTで欠陥事象を確認することで、迅速かつ正確に欠陥を特定できます。
- 非破壊解析: サンプルを破壊せずに欠陥を特定・確認できるため、欠陥事象を消失するリスクを低減することが可能です。
- 効率的なプロセス: 非破壊解析工程で欠陥発生原因を仮定し、物理解析工程への正確な橋渡しを行うことで、全体の解析プロセスが効率化されます。
