プラズマFIB-SEM Helios 5 PFIB
FIBのイオン源にXe プラズマイオンを搭載しております。
GaタイプのFIBでは得られない大電流高速加工により、広範囲の断面作成、3D解析ならびにTEM試料、各種分析の搭載が可能な装置です。
商品基礎情報
プラズマFIB-SEMの特長
- Ga+ FIB と比較し、20倍以上の高速加工ならびに大面積加工を実現します。
- Ga+ FIB と比較し、同等以上のダメージレス加工を実現します。
- 高性能FE-SEMを搭載し、リアルタイムの断面観察が可能で、かつ、加工位置を高精度で確認することが可能です。
- Easy Lift機能を付加することにより、精度の高いSTEM/TEMの試料作成が可能です。
- 各種分析(EDSなど)、3D解析を付加することも可能です。
Hekios 5 を用いた半導体の故障解析フロー
DxケミストリーとプラズマFIBビームの組み合わせにより、高度なロジック、3D NAND、およびDRAMに対応した独自でサイト限定のデプロセシングおよび不良解析のワークフローを提供します。
【最先端 LSI 故障解析フロー】
【最先端 パッケージ 故障解析フロー】
【メモリーデバイス故障解析フロー】
主な機能
【高速ミリング】
次世代の2.5 µAキセノンPFIBカラムは、高速、高品質、統計的に有意な3D解析、断面加工、および微細加工を提供します。Ga＋と比較して1～3倍の除去率が向上します。
【大容量除去加工】
PFIBデプロセシングとThermo Scientificガイド付きワークフローを組み合わせることで、高品質のレイヤー平面作製や断面作製、トップダウン、および反転TEM試料の作製が可能となります。バルクミリング＋ロッキングポリッシュによりトータルの解析時間を大幅に短縮します。
【各層の自動除去及びエンドポイントの検出】
エンドポインティングによる自動化されたデプロセスを実行します。SmartAlignテクノロジーおよびFLASHテクノロジーにより、経験レベルにかかわらず、ナノスケールの情報を短時間で取得できます。
製品ラインナップ
■対象ワークのサイズや加工精度により最適なシステムをご提案します。
加工イメージ図
■大領域の加工例：TSV加工例
■大面積の3D観察：TSV観察例
■大領域のTEM試料
