Emission・OBIRCH複合装置 | Meridhian
商品基礎情報
Meridianの特長
- InGaAsを超える超高感度カメラDBXを搭載しております。
- プロセスの微細化に伴う、マージナルな不良要因絞り込む事が可能です。
- パッケージからウェーハレベルに対応した製品群があり、不良解析のみならず歩留まり解析への適用も可能です。
不良箇所特定のワークフロー
OFIはデバイス不良の原因となる電気的不良個所を特定するための重要なステップです。
デバイスへの印加方法
- スタティック解析：ハード不良→ショート、抵抗性オープン、IV特性不良、IDDQ不良
- ダイナミック解析：ソフト/パラメトリック不良→リーク、タイミング不良、スキャンチェーン不良
スタティック解析のためのキーテクニック
フォトンエミッション
フォトンエミッションは、主として活性トランジスタチャネルからの「ホット」キャリア放射に起因します。
ホットキャリアは高電界領域、例えばピンチオフ領域に存在します。 フォトンエミッションは異常なトランジスタ活性を示し、それによって不良を引き起こしている欠陥の位置が特定されます
スタティックレーザー励起
レーザー照射によって局所的な発熱が発生し、それによって抵抗が変化します。
デバイスにはDCバイアスを印加し、この抵抗変化を、電圧または電流センサーで検出します。
高感度OBIRCH
Meridian Sは解析困難なメタルショート不良個所を高SNRで特定可能です
高分解能SILオプション
SIL（固浸レンズ）技術により、エアギャップレンズの限界を超える光学解像度を実現しています。
SILレンズはデバイスと物理的に接触して「超解像」を実現します。
