ディスクリート SiC MOSFET製品のご紹介

ディスクリート SiC MOSFET製品のご紹介

当ページではクリー社製のSiC(シリコンカーバイド)MOSFETディスクリートパッケージ品の特長およびランナップについてご紹介いたします。

メーカー

ディスクリート SiC MOSFETの主な特長

Wolfspeed MOSFETは高いスイッチング周波数を可能にし、インダクタ、コンデンサ、フィルタ、トランスなどの部品の小型化を実現します。SiC MOSFETは、シリコンデバイスに代わるもので、1700V以上の高いブロッキング電圧、1800V以上のアバランシェ定格、スイッチング損失および導通損失の低減を実現しています。

ディスクリート SiC MOSFETの製品ラインナップ

SiC MOSFETの製品ラインナップです。

Product Blocking(V)
Voltage
RDS(ON)
at 25℃ (mΩ)
Current
Ratingat
25℃ (A)
Power Dissipation
(W)
Maximum
Junction
Temperature(℃)
Package
C3M0015065D 650 15 120 416 175 TO-247-3
C3M0015065K 650 15 120 416 175 TO-247-4
C3M0060065D 650 60 37 150 175 TO-247-3
C3M0060065K 650 60 37 150 175 TO-247-4
C3M0060065J 650 60 36 136 175 TO-263-7
C3M0030090K 900 30 63 149 150 TO-247-4
C3M0065090J 900 65 35 113 150 TO-263-7
C3M0065090D 900 65 36 125 150 TO-247-3
C3M0120090D 900 120 23 97 150 TO-247-3
C3M0120090J 900 120 22 83 150 TO-263-7
C3M0280090J 900 280 11.5 50 150 TO-263-7
C3M0280090D 900 280 11.5 54 150 TO-247-3
C3M0065100K 1000 65 35 113.5 150 TO-247-4
C3M0065100J 1000 65 35 113.5 150 TO-263-7
C3M0120100K 1000 120 22 83 150 TO-247-4
C3M0120100J 1000 120 22 83 150 TO-263-7
C3M0016120K 1200 16 115 556 175 TO-247-4
C3M0016120D 1200 16 115 556 175 TO-247-3
C3M0021120D 1200 21 100 469 175 TO-247-3
C3M0021120K 1200 21 100 469 175 TO-247-4
C3M0032120K 1200 32 63 283 175 TO-247-4
C3M0032120D 1200 32 63 283 175 TO-247-3
C3M0075120K 1200 75 30 113.6 150 TO-247-4
C3M0075120J 1200 75 30 113.6 150 TO-263-7
C3M0075120D 1200 75 30 113.6 150 TO-247-3
C3M0160120D 1200 160 17 97 150 TO-247-3
C3M0160120J 1200 160 17 90 150 TO-263-7
C3M0350120D 1200 350 7.6 50 150 TO-247-3
C3M0350120J 1200 350 7.2 40.8 150 TO-263-7
C2M0045170P 1700 45 72 520 150 TO-247-4 Plus
C2M0045170D 1700 45 72 520 150 TO-247-3
C2M0080170P 1700 80 40 277 150 TO-247-4 Plus
C2M1000170D 1700 1000 5 69 150 TO-247-3
C2M1000170J 1700 1000 5.3 78 150 TO-263-7