【欠陥検出】ウエハ表面検査装置

各種ウェハの表裏面に存在する対象欠陥をレーザーと画像を用いることで、高速検出かつ欠陥種の分類を行うことが可能です。当ページでは2つの装置について紹介します。

対象基板
Si, GaN, GaN/Si, SiC, SiC/Si, LT, LN, サファイアなど

対象欠陥例
ウエハ表裏面）キズ・異物・スクラッチ痕・クラック・ピット・ヒロックなど

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商品基礎情報

ウエハ表面欠陥検査装置(レーザー式＋画像式）複合機

レーザー式のメリット（高速検査、微小欠陥検出能力）と画像式のメリット（顕微鏡画像取得、欠陥サイズ判定、表裏判定）を併せ持つ複合機では高速全面検査の後、欠陥箇所だけを高倍率画像で解析できます。
様々な欠陥検出と分類が可能です。中でもスクラッチの検出において、お客様から高評価をいただいております。

①レーザー式で検出した欠陥を、画像式でリアルタイム観察

②リアルタイム観察での表裏判別事例

・画像式の顕微鏡で対物レンズの倍率を替えて観察
・フォーカス高さを変更して観察

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主な仕様

レーザー式検査部

検出	方式	レーザー数乱方式および正反射方式
検出	欠陥	パーティクル、スクラッチ、ビット、バンプなど
対象基板	種類	Si、GaN、GaN/Si、SiC、SiC/Si、LT、LN、サファイア、など（その他ご相談ください）
対象基板	サイズ	2″〜8″（その他ご相談ください）
検査部構成	レーザー本数	3本
検査部構成	検出器個数	5個
スピンドル	チャック方式	裏面全面真空吸着裏面外周真空吸着
スピンドル	回転数	5,000RPM

画像式検査部

検出	方式	微分干渉顕微鏡を用いた画像解析方式
検出	欠陥	凹欠陥、凸欠陥、パーティクル、スクラッチなど
対象基板	種類	Si、GaN、GaN/Si、SiC、SiC/Si、LT、LN、サファイア、など（その他ご相談ください）
対象基板	サイズ	2″〜8″（その他ご相談ください）
検査部仕様	検出器	微分干渉顕微鏡+CMOSカメラ
	対物レンズ	5倍、10倍、50倍
	検出サイズ	0.3μm（対物レンズ10倍、明視野観察時）
機能	検査モード	①レーザー検査結果に基づくリアルタイム観察モード ②全面検査モード（明視野or暗視野）
機能	レポート作成	欠陥画像のアルバム作成