関連商品・技術情報
商品基礎情報
シリコンカーバイド(SiC)半導体
- シリコンカーバイド(SiC)は、高スイッチング周波数、高効率、高電圧(650V超)アプリケーションに理想的な技術です。
- Microchip社は、SiC の設計と開発における 20 年以上の経験により、ベアダイ、ディスクリート、パワーモジュール形式の SiC ダイオード、MOSFET、ゲートドライバのボードと柔軟なポートフォリオを持っており、高信頼性、高耐圧、高電流、低損失で、 高電圧システムのトータルコストの削減に貢献するSiC半導体を提供しています。
Si MOSFET
- Microchip社のパワーMOSFET は、産業、自動車、医療、航空宇宙、防衛、通信の市場セグメントにおける幅広い高電圧および高電力アプリケーションで使用できます。
- また、インターフェイス MOSFET とも呼ばれる小信号MOSFET製品は、低電力の信号レベルのアプリケーション向けに設計されており、民生用から医療用まで、さまざまな市場のさまざまなアプリケーションで使用できます。
- 多種のパッケージラインアップを持ち、 ディスクリート製品を一体化したモジュール製品も提供しています。
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)
- Microchip の IGBT 製品は、幅広い高電圧および高電力アプリケーションに対して高品質のソリューションを提供します。
- スイッチング周波数範囲は、最小の伝導損失を実現するDC から、非常に高い電力密度のスイッチモード電源(SMPS)アプリケーション向けの 150 kHz までの範囲におよびます。
- さまざまなパッケージラインアップを持ち、ディスクリート製品を一体化したモジュール製品も提供しています。
ディスクリートダイオード製品
- Microchip社は、以下4シリーズのディスクリート・ダイオード製品を提供しています。
・SiC ショットキーダイオード :SDシリーズ
・高速・高信頼性リカバリーダイオード :DQシリーズ
・ショットキーダイオード :Sシリーズ
・中速VF リカバリーダイオード:Dシリーズ
- これらのダイオード シリーズは、連続導通モードの力率改善回路のための高速リカバリから出力整流のための低伝導損失まで幅広い高電圧、大電力アプリケーションの要件に高品質ソリューションを提供します。
RF MOSFET
- 高耐圧 RF MOSFET : ARFシリーズ
最高 150MHz の周波数と最大 400Vの動作電圧が必要なアプリケーションに適しています。
- 高周波 RF MOSFET : VRFシリーズ
信頼性、堅牢性、相互変調歪みを損なうことなく、高出力とゲインを必要とする広帯域の商用および軍事用途向けに設計された RF パワートランジスタです。
- ドライバ + RF MOSFET ハイブリッド : DRFシリーズ
RF MOSFET とドライバ、バイパスコンデンサなどを1つのパッケージに統合したハイブリッド製品です。